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2SB792A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB792A
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内容描述: 高集电极 - 发射极电压VCEO低噪声电压NV [High collector-emitter voltage VCEO Low noise voltage NV]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 1 页 / 60 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SB792,2SB792A
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
高集电极 - 发射极电压V
首席执行官
低噪声电压NV
+0.1
1.3
-0.1
特点
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
2SB792
2SB792A
集电极 - 发射极电压
2SB792
2SB792A
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
V
首席执行官
符号
V
CBO
等级
-150
-185
-150
-185
-5
-50
-100
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极电压
2SB792
2SB792A
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极截止电流
正向电流传输比
2SB792
2SB792A
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
噪声电压
V
CE ( SAT )
I
C
= -30毫安,我
B
= -3毫安
f
T
C
ob
NV
V
CE
= -10 V,I
C
= -10毫安, F = 200 MHz的
V
CB
= -10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CE
= -10 V,I
C
= -1毫安,G
V
= 80分贝
RG = 100kΩ的,功能= FLAT
200
4
150
V
EBO
I
CBO
h
FE
I
E
= -10 IA ,我
C
= 0
V
CB
= -100 V,I
E
= 0
V
CE
= -5 V,I
C
= -10毫安
130
130
符号
V
首席执行官
Testconditons
I
C
= -100 IA ,我
B
= 0
-150
-185
-5
-1
450
330
-1
V
兆赫
pF
mV
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
h
FE
分类
记号
h
FE
2SB792
2SB792A
IR
2FR
R
130 220
IS
2FS
S
185 330
T
260 450
IT
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1