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    2SB799 参数 Datasheet PDF下载

    2SB799图片预览
    型号： 2SB799
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低集电极饱和电压VCE （SAT） \u003c - 0.4V （IC = -500mA ， IB = -50mA ） [Low collector saturation voltage:VCE(sat)<-0.4V(IC=-500mA,IB=-50mA)]
    分类和应用： 晶体晶体管放大器
    文件页数/大小： 1 页 / 76 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    产品speci fi cation
    2SB799
    特点
    世界标准的微型封装形式：SOT -89
    低集电极饱和电压： V
    CE （ SAT ）
    <-0.4V(I
    C
    =-500mA,I
    B
    =-50mA)
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲） *
    总功耗
    结温
    存储温度范围
    * PW
    为10ms ，占空比50 ％ 。
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    C
    P
    T
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    -60
    -50
    -5
    -0.7
    -1.0
    2
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    电气特性TA = 25
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益*
    集电极饱和电压*
    基本饱和电压*
    基极 - 发射极电压*
    增益带宽积
    输出电容
    *脉冲： PW
    350 ，占空比
    2%
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    Testconditons
    V
    CB
    = -60 V，I
    E
    = 0
    V
    EB
    = -5.0 V，I
    C
    = 0
    V
    CE
    = -1.0 V，I
    C
    = -100毫安
    V
    CE
    = -1.0 V，I
    C
    = -500毫安
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    = -50mA
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    = -50mA
    V
    BE
    f
    T
    C
    ob
    V
    CE
    = -6.0 V，I
    C
    = -10毫安
    V
    CE
    = -6.0 V，I
    E
    = 10毫安
    V
    CB
    = -6.0 V，I
    E
    = 0中，f = 1.0兆赫
    -600
    90
    50
    200
    120
    -0.16
    -0.9
    -630
    120
    25
    -0.4
    -1.2
    -700
    V
    V
    mV
    兆赫
    pF
    民
    典型值
    最大
    -100
    -100
    400
    单位
    nA
    nA
    h
    FE
    分类
    记号
    h
    FE
    MM
    90 180
    ML
    135 270
    MK
    200 400
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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