2SB806 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB806
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内容描述：	高集电极到发射极电压： VCEOï¼ ?? - 120V 。集电极 - 基极电压VCBO -120 V [High collector to emitter voltage: VCEOï¼-120V. Collector-base voltage VCBO -120 V]
分类和应用：	晶体晶体管放大器
文件页数/大小：	3 页 / 266 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

产品speci fi cation

2SB806

ＳＴ８

Ｏ－９

４．５０±０．１

１．８０±０．１

Ｕ½½½：½½

１．５０　±０．１

●

高集电极到发射极电压： V

首席执行官

＞-120V.

１

２

３

０８±０１

．０．

２５±０１

．０．

４０±０１

．０．

■

特点

０．４４±０．１

２６±０１

．０．

０４±０１

．０．

０．４８±０．１０．５３±０．１

３．００±０．１

１．Ｂ½½½

２．Ｃ½½½½½½½½

３．Ｅ½½½½½½

■

绝对最大额定值TA = 25 ℃

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（脉冲） * 1

集电极耗散功率

结温

储存温度

* 1 。 PW≤10ms ，值班cycle≤50 ％

符号

CBO

首席执行官

EBO

C（ PU ）

英镑

等级

-120

-5

-0.7

-1.2

150

-55到+150

单位

℃

■

电气特性TA = 25 ℃

参数

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益*

集电极 - 发射极饱和电压*

基射极饱和电压*

基极 - 发射极电压*

输出电容

跃迁频率

* PW≤350μs ，值班cycle≤2 ％

符号

CBO

EBO

Testconditons

= -120V ，我

= -5V ，我

= -1V ，我

= -100mA

= -1V ，我

= -5.0mA

CE （ SAT ）

= -500mA ，我

= -50mA

BE （ SAT ）

= -500mA ，我

= -50mA

= -10V ，我

= -10mA

= -10V ，我

= 0 ， F = 1.0MHz的

= -10V ，我

= 10毫安

-550

200

-0.4

-0.9

-620

-0.6

-1.5

-650

兆赫

民

典型值

最大

-100

400

单位

■

分类

记号

的hFE

90½180

135½270

200½400

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1第3

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