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型号: 2SB956
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内容描述: 大集电极耗散功率PC低集电极 - 发射极饱和电压VCE (SAT) [Large collector power dissipation PC Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)]
分类和应用: PC
文件页数/大小: 1 页 / 76 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SB956
特点
大集电极耗散功率PC
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
小功率型封装,设备的小型化使
并通过磁带包装盒自动插入
包装。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
-20
-20
-5
-1
-2
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极截止电流
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
*脉冲测量。
3
符号
V
CBO
V
EBO
I
CBO
h
FE
Testconditons
I
C
= -1毫安,我
B
= 0
I
E
= -10 IA ,我
C
= 0
V
CB
= -10 V,I
E
= 0
V
CE
= -2 V,I
C
= -500毫安
130
-20
-5
-1
280
-0.5
-1.2
200
40
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
nA
V
CE ( SAT )
I
C
= -1时,我
B
= -50毫安
V
BE ( SAT )
I
C
= -500毫安,我
B
= -50毫安
f
T
C
ob
V
CB
= -6 V,I
E
= 50 mA时, F = 200 MHz的
V
CB
= -6 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
h
FE
分类
记号
h
FE
HR
130 210
HS
180 280
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1