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型号: 2SB962-Z
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内容描述: 低VCE (SAT) : VCE (SAT) = - 0.3V.Collector到基极电压VCBO -40 V [Low VCE(sat): VCE(sat)=-0.3V.Collector to base voltage VCBO -40 V]
分类和应用: 晶体晶体管开关
文件页数/大小: 1 页 / 63 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SB962-Z
TO-252
单位:mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
特点
低V
CE ( SAT )
: V
CE ( SAT )
=-0.3V.
+0.15
1.50
-0.15
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
+0.2
9.70
-0.2
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极电流脉冲*
总功耗
结温
存储温度范围
* PW
为10ms ,占空比50 % 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
T
T
j
T
英镑
等级
-40
-30
-5
-3
-6
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益*
集电极饱和电压*
基本饱和电压*
增益带宽积
输出电容
*脉冲: PW
350 ,占空比
2%
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= -30 V,I
E
= 0
V
EB
= -3.0 V,I
C
= 0
V
CE
= -2.0 V,I
C
= -1A
V
CE
= -2.0 V,I
C
=-20mA
V
CE ( SAT )
I
C
= -2A ,我
B
= -0.2A
V
BE ( SAT )
I
C
= -2A ,我
B
= -0.2A
f
T
C
ob
V
CE
= -5.0 V,I
E
= 100毫安
V
CB
= -10 V,I
E
= 0中,f = 1.0兆赫
60
30
160
150
-0.3
-1
80
55
-0.5
-2
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
-10
-1
400
单位
µA
µA
h
FE
分类
h
FE
R
60 120
Q
100 200
P
160 320
E
200 400
3
.8
0
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1