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型号: 2SC3134
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内容描述: 高VEBO 。宽的ASO和对击穿的高耐久性。 [High VEBO. Wide ASO and high durability against breakdown.]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 1 页 / 47 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SC3134
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
1
2
宽的ASO和对击穿的高耐久性。
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
高V
EBO
.
+0.1
1.3
-0.1
特点
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
cp
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
50
15
150
300
200
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
ob
Testconditons
V
CB
= 40V ,我
E
=0
V
EB
= 10V ,我
C
=0
V
CE
= 6V ,我
C
=1mA
V
CE
= 6V ,我
C
=1mA
V
CB
= 6V , F = 1MHz的
90
100
2.2
0.5
60
50
15
典型值
最大
0.1
0.1
560
兆赫
pF
V
V
V
V
单位
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
V
( BR ) CBO
I
C
= 10μA ,我
E
=0
V
( BR ) CEO
I
C
= 1毫安,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= 10μA ,我
C
=0
h
FE
分类
记号
的hFE
4
90 180
5
135 270
H
6
200 400
7
300 600
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1