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型号: 2SC3138
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内容描述: 高电压。 VCBO = 200 V(最大值)小型扁平封装。 [High voltage. VCBO = 200 V (max) Small flat package.]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 47 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SC3138
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
高电压。 V
CBO
= 200伏(最大)
V
首席执行官
= 200伏(最大)
小型扁平封装。
+0.1
1.3
-0.1
特点
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
200
200
5
50
20
150
125
-55到+125
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= 200 V,I
E
= 0
V
EB
= 5 V,I
C
= 0
200
200
70
0.1
0.75
50
100
2
0.3
2
0.4
4
240
0.5
1.5
V
V
兆赫
pF
ìs
ìs
ìs
典型值
最大
0.1
0.1
单位
ìA
ìA
V
V
V
( BR ) CBO
I
C
= 0.1毫安,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= 1毫安,我
B
= 0
h
FE
V
CE
= 3 V,I
C
= 10毫安
V
CE (SAT)
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1毫安
V
BE (SAT)
I
C
= 10 mA时,我
B
= 1毫安
f
T
C
ob
TSTG
tf
V
CE
= 10 V,I
C
= 2毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
脉冲宽度= 5是,占空比2
I
B1
=-I
B2
-0.6毫安
V
CC
=50V,I
C
=6mA
h
FE
分类
记号
的hFE
NO
O
70 140
NY
Y
120 240
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1