2SC3324 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SC3324
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内容描述：	高voltageVCEO = 120V高hFE.hFE = 200〜 700小型封装。 [High voltageVCEO=120V High hFE.hFE=200 to 700 Small package.]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 59 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

产品speci fi cation

2SC3324

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

单位：mm

特点

+0.1

2.4

-0.1

高hFE.hFE = 200〜700

低噪声。

小包装。

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

+0.1

1.3

-0.1

高voltageV

首席执行官

=120V

0.55

0.4

+0.05

0.1

-0.01

+0.1

0.97

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

120

100

150

125

-55到+125

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

噪声系数

符号

CBO

EBO

Testconditons

= 120 V，I

= 0

= 5 V，I

= 0

= 6 V，I

= 2毫安

200

民

典型值

最大

0.1

700

0.3

100

0.5

0.2

兆赫

单位

ìA

CE （SAT）

= 10 mA时，我

= 1毫安

= 6 V，I

= 1毫安

= 10 V，I

= 0中，f = 1 MHz的

= 6 V，I

= 0.1毫安， F = 100赫兹，R

=10 kÙ

= 6 V，I

= 0.1毫安， F = 1千赫，R

=10 kÙ

分类

记号

秩

的hFE

CBG

200 400

CBL

350 700

+0.1

0.38

-0.1

0-0.1

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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