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2SC3392 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC3392
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内容描述: 采用FBET过程。高击穿电压VCEO = 50V 。 [Adoption of FBET process. High breakdown voltage : VCEO=50V.]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 61 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
产品speci fi cation
2SC3392
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
采用FBET过程。
高击穿电压: V
首席执行官
=50V.
大电流capacitiy和高F
T
.
超小尺寸的封装允许套
要smallsized ,苗条。
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
集电极耗散
Jumction温度
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
50
5
500
800
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
公共基础输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
Ic
BO
I
EBO
h
FE
f
T
COB
Testconditons
V
CB
= 40V ,我
E
= 0
V
EB
= 4V ,我
C
= 0
V
CE
= 5V ,我
C
= 10毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 50毫安
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
100
300
3.7
0.1
0.8
60
50
5
70
V
CC
= 20V ,我
C
= 10I
B1
= -10I
B2
= 100毫安
400
70
0.3
1.2
典型值
最大
0.1
0.1
560
兆赫
pF
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
单位
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
V
BE ( SAT )
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
V
( BR ) CBO
I
C
= 10ìA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= 100ìA ,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= 10ìA ,我
C
= 0
t
on
t
英镑
t
f
h
FE
分类
记号
的hFE
100
4
200
5
140 280
AY
6
200 400
7
280 560
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1