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    2SC3443 参数 Datasheet PDF下载

    2SC3443图片预览
    型号： 2SC3443
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高的hFE = 150〜 800高集电极电流（ IC = 2A） 。高集电极耗散PC = 500mW的。 [High hFE=150 to 800. High collector current (Ic=2A). High collector dissipation Pc=500mW.]
    分类和应用： PC
    文件页数/大小： 1 页 / 77 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    产品speci fi cation
    2SC3443
    特点
    高的hFE = 150 〜800 。
    高集电极电流（ IC = 2A） 。
    高集电极耗散PC = 500mW的。
    低V
    CE （SAT） ：
    V
    CE （ SAT ）
    = 0.17V典型值（ @ IC = 1A ，我
    B
    =50mA).
    小型封装的安装。
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    峰值集电极电流
    集电极电流
    集电极耗散（ TA = 25 ）
    Jumction温度
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    EBO
    V
    首席执行官
    I
    CM
    I
    C
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    20
    6
    16
    3
    2
    500
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    mW
    电气特性TA = 25
    参数
    Colllector - 基极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    增益带宽积
    集电极输出电容
    符号
    Testconditons
    民
    20
    6
    16
    0.2
    0.2
    150
    0.17
    80
    28
    800
    0.3
    V
    兆赫
    pF
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    ìA
    ìA
    V
    （ BR ） CBO
    I
    C
    =10ìA,I
    E
    =0
    V
    （ BR ） EBO
    I
    E
    =10ìA,I
    C
    =0
    V
    （ BR ） CEO
    I
    C
    =2mA,R
    BE
    =
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CB
    =16V,I
    E
    =0
    V
    EB
    =4V,I
    C
    =0
    V
    CE
    =4V,I
    C
    =100mA
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    =1A,I
    B
    =50mA
    f
    T
    COB
    V
    CE
    =2V,I
    E
    =-10mA
    V
    CB
    =10V,I
    E
    =0,f=1MHz
    h
    FE
    分类
    记号
    的hFE
    BE
    150 300
    BF
    250 500
    BG
    400 80
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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