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2SC3515 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC3515
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内容描述: 高电压: VCBO = 300V , VCEO = 300V低饱和电压: VCE (SAT) = 0.5V (最大值) [High Voltage: VCBO = 300V , VCEO = 300V Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 0.5V (max)]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 4 页 / 846 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
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SMD型
产品speci fi cation
2SC3515
特点
高电压: V
CBO
= 300V , V
首席执行官
= 300V
低饱和电压: V
CE ( SAT )
= 0.5V (最大)
小集电极输出电容:C
ob
= 3pF的(典型值)。
P
C
= 1〜 2W (安装在陶瓷基板)
小扁包
补充2SA1384
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
Jumction温度
存储温度范围
*安装在一个陶瓷基体( 250毫米
2
×0.8 T)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
P
C *
T
j
T
英镑
等级
300
300
6
100
20
500
1000
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
Testconditons
V
CB
= 300V ,我
E
= 0
V
EB
= 6V ,我
C
= 0
300
300
30
150
0.5
1
50
80
3
4
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
0.1
0.1
单位
ìA
ìA
V
V
V
( BR ) CBO
I
C
= 0.1毫安,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= 1mA时,我
B
= 0
h
FE
V
CE
= 10V ,我
C
= 20mA下
V
CE ( SAT )
I
C
= 20mA时,我
B
= 2毫安
V
BE ( SAT )
I
C
= 20mA时,我
B
= 2毫安
f
T
C
ob
V
CE
= 10V ,我
C
= 20mA下
V
CB
= 20V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
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