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    2SC3651 参数 Datasheet PDF下载

    2SC3651图片预览
    型号： 2SC3651
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高直流电流增益高击穿电压低colleotor极 - 发射极饱和电压 [High DC current gain High breakdown voltage Low colleotor-to- emitter saturation voltage]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 1 页 / 70 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    SMD型
    晶体管
    产品speci fi cation
    2SC3651
    特点
    高直流电流增益
    高的击穿电压
    低colleotor极 - 发射极饱和电压
    高V
    EBO
    (V
    EBO
    15V)
    非常小的尺寸使得它很容易为客户提供高密度
    小尺寸的混合IC的。
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲）
    集电极耗散
    Junotion温度
    储存温度
    *安装在陶瓷板上（ 250毫米
    2
    X0.8mm)
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    等级
    120
    100
    15
    200
    300
    500
    1.3 *
    150
    -55到150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mA
    W
    电气特性TA = 25
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益
    增益带宽积
    输出电容
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极电压Stauration
    集电极基极击穿电压
    集电极到发射极击穿电压
    发射极基极击穿电压
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    f
    T
    COB
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    Testconditons
    V
    CB
    =80V,I
    E
    =0
    V
    EB
    =10V,I
    C
    =0
    V
    CE
    =5V,I
    C
    =10mA
    V
    CE
    =5V,I
    C
    =100mA
    V
    CE
    =10V,I
    C
    =10mA
    V
    CB
    =10V,f=1MHz
    I
    C
    =100mA,I
    B
    =2mA
    I
    C
    =100mA,I
    E
    =2mA
    I
    C
    =100ìA,I
    E
    =0
    I
    C
    =1mA,I
    B
    =0
    I
    E
    =10ìA,I
    C
    =0
    500
    400
    150
    6.5
    0.15
    0.5
    兆赫
    pF
    V
    V
    V
    V
    V
    1000
    民
    典型值
    最大
    0.1
    0.1
    2000
    单位
    ìA
    ìA
    记号
    记号
    CG
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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