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型号: 2SC3906K
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内容描述: 高击穿voltage.Collector - 基极电压VCBO 120 V [High breakdown voltage.Collector-base voltage VCBO 120 V]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 52 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SC3906K
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
高击穿电压。
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
T
英镑
等级
120
120
5
50
0.2
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
输出电容
跃迁频率
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
I
C
=50ìA
I
C
=1mA
I
E
=50ìA
V
CB
=100V
V
EB
=4V
V
CE
= 6V ,我
C
=2mA
180
Testconditons
120
120
5
0.5
0.5
560
0.5
140
2.5
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= 10毫安,我
B
=1mA
f
T
C
ob
V
CE
= -12V ,我
E
= 2毫安中,f = 100MHz的
V
CB
= -12V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
h
FE
分类
记号
的hFE
TR
R
180 390
TS
S
270 560
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1