2SC4003 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SC4003
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内容描述：	高击穿电压收养MBIT过程中出色的线性度的hFE [High breakdown voltage Adoption of MBIT process Excellent hFE linearity]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 72 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

2SC4003

TO-252

+0.15

1.50

-0.15

单位：mm

+0.1

2.30

-0.1

特点

高的击穿电压

+0.2

9.70

-0.2

+0.15

6.50

-0.15

+0.2

5.30

-0.2

0.50

+0.8

-0.7

+0.1

0.80

-0.1

+0.15

0.50

-0.15

优秀ħ

线性

0.127

最大

2.3

4.60

+0.15

-0.15

+0.1

0.60

-0.1

+0.28

1.50

-0.1

+0.25

2.65

-0.1

+0.15

5.55

-0.15

1 BASE

2个集热器

3发射器

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极到发射极电压

发射器基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流（脉冲）

总功耗TA = 25

= 25

结温

储存温度

英镑

符号

CBO

首席执行官

EBO

等级

400

200

400

150

-55到+150

单位

通过MBIT过程

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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