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    2SC4209 参数 Datasheet PDF下载

    2SC4209图片预览
    型号： 2SC4209
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 集电极 - 基极电压VCBO 80 V发射极 - 基极电压VEBO 5 V [Collector-base voltage VCBO 80 V Emitter-base voltage VEBO 5 V]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 1 页 / 102 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    SMD型
    晶体管
    IC
    产品speci fi cation
    2SC4209
    SOT-23
    +0.1
    2.9
    -0.1
    +0.1
    0.4
    -0.1
    单位：mm
    +0.1
    2.4
    -0.1
    +0.1
    1.3
    -0.1
    特点
    1
    +0.1
    0.95
    -0.1
    +0.1
    1.9
    -0.1
    2
    0.55
    0.4
    3
    +0.05
    0.1
    -0.01
    0.97
    +0.1
    0.38
    -0.1
    +0.1
    -0.1
    1.Base
    2.Emitter
    3.collector
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    基极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    B
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    80
    80
    5
    300
    60
    200
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    电气特性TA = 25
    参数
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    集电极 - 发射极击穿电压
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    Testconditons
    V
    CB
    = 50 V，I
    E
    = 0
    V
    EB
    = 5 V，I
    C
    = 0
    80
    70
    240
    0.5
    0.55
    100
    10
    0.8
    V
    V
    兆赫
    pF
    民
    典型值
    最大
    0.1
    0.1
    单位
    ìA
    ìA
    V
    V
    （ BR ） CEO
    I
    C
    = 5毫安，我
    B
    = 0
    h
    FE
    V
    CE
    = 2 V，I
    C
    = 50毫安
    V
    CE （SAT）
    I
    C
    = 200毫安，我
    B
    = 10毫安
    V
    BE
    f
    T
    C
    ob
    V
    CE
    = 2 V，I
    C
    = 5毫安
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 10毫安
    V
    CB
    = 10 V，I
    E
    = 0中，f = 1 MHz的
    h
    FE
    分类
    记号
    秩
    的hFE
    O
    70 140
    C
    Y
    120 240
    0-0.1
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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