SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SC4412
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
高击穿电压。
小的反向传输电容和优异的
频率特性（ Cre重组酶： 1.0pF典型值） 。
出色的直流电流增益比（HFE比： 0.95 ，典型值） 。
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
+0.1
0.97
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
Jumction温度
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
300
300
5
50
100
250
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
反向传输电容
直流电流增益比
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
Ic
BO
I
EBO
h
FE
f
T
C
ob
C
re
h
FE
比
Testconditons
V
CB
= 200V ，我
E
= 0
V
EB
= 4V ，我
C
= 0
V
CE
= 6V ，我
C
- 0.1毫安
V
CE
= 6V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 30V ，我
C
= 10毫安
V
CB
= 30V ， F = 1MHz的
V
CB
= 30V ， F = 1MHz的
h
FE
1/ h
FE
2
100
100
70
1.5
1.0
0.95
1.0
1.0
300
300
5
V
V
V
V
V
兆赫
pF
pF
民
典型值
最大
0.1
0.1
320
单位
ìA
ìA
V
CE （ SAT ）
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
V
BE （ SAT ）
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
V
（ BR ） CBO
I
C
= 10ìA ，我
E
= 0
V
（ BR ） CEO
I
C
= 1毫安，R
BE
=
V
（ BR ） EBO
I
E
= 10ìA ，我
C
= 0
h
FE
分类
记号
秩
的hFE
4
100 200
QT
5
160 320
+0.1
0.38
-0.1
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1
TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
