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2SC4413 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC4413
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内容描述: 采用FBET过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 [Adoption of FBET process. Low collector-to-emitter saturation voltage.]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 62 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SC4413
特点
采用FBET过程。
高直流电流增益。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高VEBO 。
小穗轴。
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
60
50
15
100
200
20
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
ob
Testconditons
V
CB
= 40V ,我
E
=0
V
EB
= 10V ,我
C
=0
V
CE
= 5V ,我
C
= 10毫安
V
CE
= 10V ,我
C
= 10毫安
V
CB
= 10V , F = 1MHz的
800
1500
200
1.5
0.1
0.8
60
50
15
0.5
1.1
典型值
最大
0.1
0.1
3200
兆赫
pF
V
V
V
V
V
单位
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= 50mA时我
B
= 1毫安
V
BE ( SAT )
I
C
= 50mA时我
B
= 1毫安
V
( BR ) CBO
I
C
= 10ìA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= 1毫安,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= 10ìA ,我
C
= 0
记号
记号
GY
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1