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型号: 2SC4852
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内容描述: 小的输出电容。低集电极 - 发射极饱和电压。 [Small output capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage.]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 84 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SC4852
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
小的导通电阻。
0.55
低集电极 - 发射极饱和电压。
+0.1
1.3
-0.1
小的输出电容。
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
等级
25
15
5
100
200
20
250
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
抗性
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
C
ob
Testconditons
V
CB
= 15V ,我
E
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
V
CE
= 2V ,我
C
= 5毫安
V
CE
= 5V ,我
C
= 10毫安
V
CB
= 10V , F = 1.0MHz的
800
240
1.4
14
0.74
25
15
5
0.9
30
1.1
典型值
最大
0.1
0.1
3200
兆赫
pF
mV
V
V
V
V
Ù
单位
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= 10毫安,我
B
= 1毫安
V
BE ( SAT )
I
C
= 10mV的,我
B
= 1毫安
V
( BR ) CBO
I
C
= 10ìA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= 1毫安,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= 10ìA ,我
C
= 0
R
on
I
B
= 3mA电流, F = 1.0MHz的
记号
记号
YT
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1