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型号: 2SC5053
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内容描述: 低饱和电压,通常为VCE (SAT) = 0.12V时IC / IB = 500毫安/ 50毫安。 [Low saturation voltage, typically VCE(sat) = 0.12V at IC / IB = 500mA / 50mA.]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 127 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SC5053
特点
低饱和电压,通常V
CE ( SAT )
= 0.12V ,在我
C
/
I
B
= 500毫安/ 50毫安。
P
C
= 2W ( 40 ×40× 0.7毫米陶瓷板) 。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
(脉冲) *
1
P
C
P
C
*
2
T
j
T
英镑
等级
-60
-50
-5
-1
-2
0.5
2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
集电极耗散功率
结温
储存温度
* 1 。单脉冲, PW = 100ms时,占空比= 1/ 2,
* 2 。 40X40X0.7mm陶瓷板。
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
正向电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
C
=-50ìA
I
C
=-1mA
I
E
=-50ìA
V
CB
=-40V
V
EB
=-4V
Testconditons
-60
-50
-5
-0.1
-0.5
-0.4
120
150
20
270
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
V
CE ( SAT )
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
h
FE
f
T
C
ob
V
CE
=-3V,I
C
=-0.5A
V
CE
= -5V ,我
E
= 50mA时F = 100MHz的
V
CB
= -10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
h
FE
分类
记号
CG
QR
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4008-318-123
1 1