2SC5212 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SC5212
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内容描述：	低集电极饱和电压VCE （SAT） = 0.2V （典型值）。高集电极电流ICM = 1A 。 [Low collector saturation voltage VCE(sat)=0.2V typ. High collector current ICM=1A.]
分类和应用：	晶体晶体管信息通信管理
文件页数/大小：	1 页 / 127 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

2SC5212

特点

低集电极饱和电压V

CE （ SAT ）

= 0.2V （典型值）。

高F

= 180MHz的典型值。

直流正向电流增益出色的线性度。

高集电极电流I

=1A.

小型封装的安装。

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

峰值集电极电流

集电极电流

集电极耗散

Jumction温度

储存温度

符号

CBO

EBO

首席执行官

英镑

等级

700

500

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

Colllector - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

增益带宽积

符号

Testconditons

民

150

0.2

180

800

0.5

兆赫

典型值

最大

单位

ìA

（ BR ） CBO

=10ìA,I

（ BR ） EBO

=10ìA,I

（ BR ） CEO

=100ìA,R

CBO

EBO

=25V,I

=2V,I

=4V,I

=100mA

CE （ SAT ）

=500mA,I

=25mA

=6V,I

=-10mA

分类

记号

的hFE

150 300

250 500

400 800

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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