2SC5310 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SC5310
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内容描述：	采用FBET的， MBIT过程。低集电极 - 发射极饱和电压。 [Adoption of FBET, MBIT processes. Low collector-to-emitter saturation voltage.]
分类和应用：
文件页数/大小：	2 页 / 121 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

2SC5310

SOT-23

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

单位：mm

+0.1

2.4

-0.1

采用FBET的， MBIT过程。

大电流电容。

低集电极 - 发射极饱和电压。

高速开关。

超小型封装有助于终端产品的小型化。

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

1.3

-0.1

特点

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

+0.05

0.1

-0.01

0.97

0-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流（脉冲）

基极电流

集电极耗散*

Jumction温度

储存温度

*安装在玻璃环氧基板（20 ×30× 1.6毫米）

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

200

250

150

-55到+150

单位

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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