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    2SD1005 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1005图片预览
    型号： 2SD1005
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 世界标准的微型封装形式：SOT -89 。高集电极到基极电压： 100V VCBO 。 [World standard miniature package: SOT-89. High collector to base voltage: VCBO 100V.]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 1 页 / 138 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    SMD型
    晶体管
    IC
    产品speci fi cation
    2SD1005
    特点
    世界标准的微型封装形式：SOT -89 。
    高集电极到基极电压： V
    CBO
    100V.
    出色的直流电流增益线性度：H
    FE
    = 80TYP 。 （V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =500mA).
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲） *
    总功耗
    在25
    环境温度*
    T
    j
    T
    英镑
    150
    -55到+150
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    C
    P
    T
    等级
    100
    80
    5
    1
    1.5
    2
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    结温
    储存温度
    * 1 。 PW
    图10是，占空比50 ％
    * 2 。当安装在16厘米的陶瓷基板
    2
    X 0.7毫米
    电气特性TA = 25
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流增益*
    集电极 - 发射极饱和电压*
    基射极饱和电压*
    基极 - 发射极电压*
    增益带宽积
    输出电容
    * 。 PW
    350ìs ，占空比2％
    符号
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    Testconditons
    V
    CB
    = 100V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = 5V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    = 100毫安
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    = 500毫安
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    V
    BE
    f
    T
    C
    ob
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    = 10毫安
    V
    CE
    = 5V ，我
    E
    = -10mA
    V
    CB
    = 10V ，我
    E
    = 0 ， F = 1.0MHz的
    600
    90
    25
    200
    80
    0.15
    0.9
    630
    160
    12
    0.5
    1.5
    700
    V
    V
    mV
    兆赫
    pF
    民
    典型值
    最大
    100
    100
    400
    单位
    nA
    nA
    h
    FE
    分类
    记号
    的hFE
    BW
    90 180
    BV
    135 270
    BU
    200 400
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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