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型号: 2SD1220
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内容描述: 功率放大器应用集电极 - 基极电压VCBO 150 V [Power Amplifier Applications Collector-base voltage VCBO 150 V]
分类和应用: 晶体放大器晶体管功率放大器
文件页数/大小: 1 页 / 123 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SD1220
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位:mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
特点
功率放大器的应用
+0.2
9.70
-0.2
+0.15
0.50
-0.15
+0.15
5.55
-0.15
+0.1
0.80
-0.1
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
TA = 25
TC = 25
结温
存储温度范围
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
等级
150
150
6
1.5
1
1
10
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CEO
h
FE
V
CE (SAT)
V
BE
f
T
C
ob
Testconditons
V
CB
= 150 V,I
E
= 0
V
EB
= 6 V,I
C
= 0
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0
V
CE
= 5 V,
IC
= 200毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 5毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 200毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
0.5
20
100
13
20
150
60
320
1.5
0.8
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
1.0
1.0
单位
ìA
ìA
V
h
FE
分类
记号
的hFE
R
60至120
D1220
O
100至200
Y
160到320
3
.8
0
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1