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2SD1250 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SD1250
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内容描述: 高正向电流传输比的hFE有良好的线性 [High forward current transfer ratio hFE which has satisfactory linearity]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 123 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SD1250
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位:mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
特点
+0.2
9.70
-0.2
+0.15
0.50
-0.15
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
+0.1
0.80
-0.1
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
T
C
= 25
结温
储存温度
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
等级
200
150
6
2
3
1.3
30
150
-55到+150
W
W
单位
V
V
V
A
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
发射极 - 基极截止电流(集电极开路)
正向电流传输比
基射极电压
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
BE
V
CE ( SAT )
f
T
Testconditons
I
C
= 500 μA ,我
E
= 0
I
C
= 5毫安,我
B
= 0
I
E
= 500 μA ,我
C
= 0
V
CB
= 200 V,I
E
= 0
V
EB
= 4 V,I
C
= 0
V
CE
= 10 V,I
C
= 150毫安
V
CE
= 10 V,I
C
= 400毫安
V
CE
= 10 V,I
C
= 400毫安
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
V
CE
= 10 V,I
C
= 0.5 A , F = 1兆赫
20
60
50
1.0
1.0
V
V
兆赫
200
150
6
50
50
240
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
h
FE
分类
的hFE
Q
60至140
P
100至240
3
.8
0
高正向电流传输比H
FE
它具有良好的线性度
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1