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型号: 2SD1256
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内容描述: 低集电极 - 发射极饱和电压VCE (SAT) 。大的集电极电流IC 。 [Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). Large collector current IC.]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 80 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SD1256
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位:mm
+0.1
2.30
-0.1
+0.15
6.50
-0.15
+0.2
5.30
-0.2
0.50
+0.8
-0.7
特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE (SAT) 。
+0.2
9.70
-0.2
大的集电极电流I
C.
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
正向电流传输比H良好的线性
FE 。
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
j
T
英镑
TA = 25
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
等级
130
80
7
5
10
1.3
40
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极截止CURENT
发射基截止电流
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
V
首席执行官
I
CBO
I
EBO
h
FE
Testconditons
I
C
= 10毫安,我
B
= 0
V
CB
= 100 V,I
E
= 0
V
EB
= 5 V,I
C
= 0
V
CE
= 2 V,I
C
= 2 A
V
CE
= 2 V,I
C
= 0.1 A
V
CE ( SAT )
I
C
= 2 A,I
B
= 0.2 A
V
BE ( SAT )
I
C
= 2 A,I
B
= 0.2 A
f
T
t
on
t
英镑
t
f
I
C
= 2 A,I
B1
= -I
B2
= 0.2 A,V
CC
= 50 V
V
CE
= 10 V,I
C
= 0.5 A , F = 10 MHz的
30
0.5
1.5
0.15
90
45
0.5
1.5
V
V
兆赫
ìs
ìs
ìs
80
10
50
260
典型值
最大
单位
V
ìA
ìA
h
FE
分类
h
FE
Q
90 180
P
130 260
3
.8
0
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1