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2SD1259A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SD1259A
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内容描述: 高正向电流传输比hFE参数。正向电流传输比的hFE良好的线性。 [High forward current transfer ratio hFE. Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE.]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 1 页 / 100 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SD1259;2SD1259A
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位:mm
+0.1
2.30
-0.1
+0.15
6.50
-0.15
+0.2
5.30
-0.2
0.50
+0.8
-0.7
特点
正向电流传输比的hFE良好的线性。
+0.2
9.70
-0.2
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
2SD1259
2SD1259A
集电极 - 发射极电压
2SD1259
2SD1259A
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
TA = 25
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
j
T
英镑
V
首席执行官
符号
V
CBO
等级
80
100
60
80
6
3
6
1
1.3
40
结温
储存温度
150
-55到+150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极电压
2SD1259
2SD1259A
集电极 - 基极截止电流
2SD1259
2SD1259A
集电极 - 发射极截止电流
发射基截止电流
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
I
CBO
V
CB
= 80 V,I
E
= 0
V
CB
= 100 V,I
E
= 0
V
CE
= 40 V,I
B
= 0
V
EB
= 6 V,I
C
= 0
V
CE
= 4 V,I
C
= 0.5 A
500
符号
V
首席执行官
Testconditons
I
C
= 25 mA时,我
B
= 0
60
80
100
100
100
100
2500
1.0
50
V
兆赫
典型值
最大
单位
V
V
ìA
ìA
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= 2 A,I
B
= 0.05 A
f
T
V
CE
= 12 V,I
C
= 0.2 A , F = 10 MHz的
h
FE
分类
h
FE
Q
500 1000
P
800 1500
O
1200 2500
3
.8
0
高正向电流传输比hFE参数。
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1