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    2SD1367 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1367图片预览
    型号： 2SD1367
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低频功率放大器。集电极基极电压VCBO 20 V [Low frequency power amplifier. Collector to base voltage VCBO 20 V]
    分类和应用： 放大器功率放大器
    文件页数/大小： 1 页 / 76 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    SMD型
    晶体管
    产品speci fi cation
    2SD1367
    特点
    低频功率放大器。
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    * 1 。 PW
    10毫秒; ð
    0.02.
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    *
    1
    P
    C
    *
    2
    Tj
    T
    英镑
    等级
    20
    16
    6
    2
    3
    1
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    * 2 。在氧化铝陶瓷基板的值（ 12.5 ×20× 0.7mm）的
    电气特性TA = 25
    参数
    集电极基极击穿电压
    集电极到发射极击穿电压
    发射极基极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    直流电流传输比
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极饱和电压
    增益带宽积
    集电极输出电容
    符号
    Testconditons
    民
    20
    16
    6
    0.1
    0.1
    100
    0.15
    0.9
    100
    20
    500
    0.3
    1.2
    V
    V
    兆赫
    pF
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    ìA
    ìA
    V
    （ BR ） CBO
    I
    C
    = 10 μA ，我
    E
    = 0
    V
    （ BR ） CEO
    I
    C
    = 1毫安，R
    BE
    =
    V
    （ BR ） EBO
    I
    E
    = 10 μA ，我
    C
    = 0
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CB
    = 16 V，I
    E
    = 0
    V
    EB
    = 5 V，I
    C
    = 0
    V
    CE
    = 2 V，I
    C
    = 0.1 A
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = 1 A，I
    B
    = 0.1 A
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    = 1 A，I
    B
    = 0.1 A
    f
    T
    C
    ob
    V
    CE
    = 2 V，I
    C
    = 10毫安
    V
    CB
    = 10 V，I
    E
    = 0中，f = 1 MHz的
    h
    FE
    分类
    记号
    的hFE
    BA
    100 200
    BB
    160 320
    BC
    250 500
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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