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型号: 2SD1418
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内容描述: 低频功率amplifier.Collector到基极电压VCBO 120 V [Low frequency power amplifier.Collector to base voltage VCBO 120 V]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 84 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SD1418
特点
低频功率放大器。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
* 1 。 PW
10毫秒; ð
0.02.
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
*
1
P
C
*
2
Tj
T
英镑
等级
120
80
5
1
2
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
* 2 。在氧化铝陶瓷基板的值( 12.5 ×20× 0.7mm)的
电气特性TA = 25
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极到发射极饱和电压
基地发射极电压
增益带宽积
集电极输出电容
符号
Testconditons
120
80
5
10
60
320
1
1.5
140
12
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
V
( BR ) CBO
I
C
= 10 μA ,我
E
= 0
V
( BR ) CEO
I
C
= 1毫安,R
BE
=
V
( BR ) EBO
I
E
= 10 μA ,我
C
= 0
I
CBO
h
FE
V
CB
= 100 V,I
E
= 0
V
CE
= 5 V,I
C
= 150毫安
V
CE ( SAT )
I
C
= 500毫安,我
B
= 50毫安
V
BE
f
T
C
ob
V
CE
= 5 V,I
C
= 150毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 150毫安
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
h
FE
分类
记号
的hFE
A
60 120
D
B
100 200
C
160 320
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1