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型号: 2SD1484K
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内容描述: 低饱和电压,通常为VCE (SAT) = 0.1V时IC / IB = 150毫安/ 15毫安。 [Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.1V at IC / IB=150mA / 15mA.]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 1 页 / 77 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SD1484K
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位:mm
+0.1
2.4
-0.1
高的电流。 (我
C
=5A).
1
2
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
特点
低饱和电压,通常V
CE ( SAT )
=我在0.1V
C
/ I
B
= 150毫安/ 15毫安。
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流*
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
T
英镑
等级
50
50
5
0.5
0.2
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流传输比
输出电容
跃迁频率
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
I
C
=100ìA
I
C
=1mA
I
E
=100ìA
V
CB
=30V
V
EB
=4V
Testconditons
50
50
5
0.5
0.5
0.4
120
250
6.5
390
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
V
CE ( SAT )
I
C
/I
B
=150mA/15mA
h
FE
f
T
C
ob
V
CE
= 3V ,我
C
=0.01A
V
CE
= 5V ,我
E
= -20mA , F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
h
FE
分类
记号
的hFE
YQ
120 270
YR
180 390
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1