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2SD1733 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SD1733
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内容描述: 高VCEO , VCEO = 80V 。高集成电路, IC = 1A ( DC ) 。良好的hFE线性度。 [High VCEO, VCEO=80V . High IC, IC=1A (DC) . Good hFE linearity .]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 50 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SD1733
特点
高V
首席执行官
, V
首席执行官
=80V .
高I
C
, I
C
= 1A(直流) 。
良好的hFE线性度。
+0.2
9.70
-0.2
TO-252
+0.15
1.50
-0.15
单位:mm
2.30
+0.8
0.50
-0.7
+0.1
-0.1
6.50
+0.2
5.30
-0.2
+0.15
-0.15
低V
CE (SAT)
.
外延平面型
NPN硅晶体管
+0.1
0.80
-0.1
+0.15
0.50
-0.15
0.127
最大
2.3
4.60
+0.15
-0.15
+0.1
0.60
-0.1
+0.28
1.50
-0.1
+0.25
2.65
-0.1
+0.15
5.55
-0.15
1 BASE
2个集热器
3发射器
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
TC = 25
结温
储存温度
* PW = 20毫秒。
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
C
(脉冲) *
P
C
等级
120
80
5
1
2
1
10
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
I
C
=50ìA
I
C
=1mA
I
E
=50ìA
V
CB
=100V
V
EB
=4V
V
CE
=3V,I
C
=0.5A
82
0.15
100
20
Testconditons
120
80
5
1
1
390
0.4
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
=500mA,I
B
=20mA
f
T
C
ob
V
CE
= 10V ,我
E
= -50mA , F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
h
FE
分类
h
FE
P
82 180
Q
120 270
R
180 390
3
.8
0
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1