2SD1781K 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD1781K
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内容描述：	非常低VCE （ sat）的.VCE （SAT） = -0.1V （典型值） IC / IB = 500毫安/ 50毫安 [Very Low VCE(sat).VCE(sat) = -0.1V(Typ.) IC / IB= 500mA / 50mA]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 77 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

2SD1781K

SOT-23

单位：mm

非常低V

CE （ SAT ）

= -0.1V （典型值）I

/ I

= 500毫安/ 50毫安

+0.1

2.4

-0.1

高电流容量的紧凑型封装。

+0.1

1.3

-0.1

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

0.55

0.4

特点

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极电流*

集电极耗散功率

结温

储存温度

*单脉冲Pw = 100毫秒。

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

0.8

1.5

200

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流传输比

输出电容

跃迁频率

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

=50ìA

=1mA

=50ìA

=20V

=4V

0.1

120

150

Testconditons

民

0.5

0.4

390

兆赫

典型值

最大

单位

ìA

CE （ SAT ）

=500mA/50mA

= 3V ，我

=100mA

= 5V ，我

= -50mA ， F = 100MHz的

= 10V ，我

= 0A ， F = 1MHz的

分类

记号

秩

120 270

180 390

0-0.1

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

1 1

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