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型号: 2SD1820
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内容描述: 低集电极 - 发射极饱和电压VCE (SAT) 。 [Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat).]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 112 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SD1820
特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE (SAT) 。
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
30
25
5
500
1
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
A
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
收藏家Cuto FF电流
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
h
FE
Testconditons
I
C
= 10 μA ,我
E
= 0
I
C
= 2毫安,我
B
= 0
I
E
= 10 μA ,我
C
= 0
V
CB
= 20 V,I
E
= 0
V
CE
= 10 V,I
C
= 150毫安
85
0.35
200
6
15
30
25
5
0.1
340
0.6
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= 300毫安,我
B
= 30毫安
f
T
C
ob
V
CB
= 10 V,I
E
= -50毫安, F = 200 MHz的
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
h
FE
分类
记号
h
FE
WQ
Q
85 170
WR
R
120 240
WS
S
170 340
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1