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型号: 2SD1821
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内容描述: 高集电极 - 发射极电压VCEO低噪声电压NV [High collector-emitter voltage VCEO Low noise voltage NV]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 121 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SD1821A
特点
高集电极 - 发射极电压V
首席执行官
低噪声电压NV
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
185
185
5
100
50
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极截止电流
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
Noixe电压
符号
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
h
FE
Testconditons
I
C
= 100 ¼A ,我
B
= 0
I
E
= 10 μA ,我
C
= 0
V
CB
= 100 V,I
E
= 0
V
CE
= 5 V,I
C
= 10毫安
130
185
5
1
330
V
150
2.3
150
兆赫
pF
mV
典型值
最大
单位
V
V
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= 30 mA时,我
B
= 3毫安
f
T
C
ob
NV
V
CB
= 10 V,I
E
= -10毫安, F = 200 MHz的
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CE
= 10 V,I
C
= 1毫安,G
V
= 80分贝,R
g
= 100KÙ
,
功能= FLAT
h
FE
分类
记号
h
FE
Q
130 220
L
R
185 330
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1