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    2SD1823 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1823图片预览
    型号： 2SD1823
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高正向电流传输比hFE参数。低集电极 - 发射极饱和电压VCE （SAT） 。 [High forward current transfer ratio hFE. Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat).]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 1 页 / 129 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    SMD型
    晶体管
    IC
    产品speci fi cation
    2SD1823
    特点
    高正向电流传输比hFE参数。
    低集电极 - 发射极饱和电压V
    CE （SAT） 。
    高发射极 - 基极电压V
    EBO 。
    低噪声电压NV 。
    1辐射源
    2基地
    3收藏家
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    50
    40
    15
    50
    100
    150
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mA
    mW
    电气特性TA = 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极 - 基极截止电流
    集电极 - 发射极截止电流
    正向电流传输比
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    h
    FE
    Testconditons
    I
    C
    = 10 μA ，我
    E
    = 0
    I
    C
    = 1毫安，我
    B
    = 0
    I
    E
    = 10 μA ，我
    C
    = 0
    V
    CB
    = 20 V，I
    E
    = 0
    V
    CE
    = 20 V，I
    B
    = 0
    V
    CE
    = 10 V，I
    C
    = 2毫安
    400
    0.05
    120
    民
    50
    40
    15
    0.1
    1
    2000
    0.20
    V
    兆赫
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    ìA
    ìA
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = 10 mA时，我
    B
    = 1毫安
    f
    T
    V
    CB
    = 10 V，I
    E
    = ？ 2毫安， F = 200 MHz的
    h
    FE
    分类
    记号
    秩
    h
    FE
    R
    400 800
    1Z
    S
    600 1200
    T
    1000 2000
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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