2SD1949 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SD1949
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内容描述：	大电流（ IC = 5A）低饱和电压，通常为VCE （SAT） = 0.1V时IC / IB = 150毫安 [High current.(IC=5A) Low saturation voltage, typically VCE(sat)=0.1V at IC / IB=150mA]
分类和应用：
文件页数/大小：	1 页 / 145 K
品牌：	TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]

SMD型

晶体管

产品speci fi cation

2SD1949

特点

高的电流。（我

=5A)

低饱和电压，通常V

CE （ SAT ）

=我在0.1V

/ I

= 150毫安/ 15毫安。

1辐射源

2基地

3收藏家

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

等级

0.5

0.2

150

-55到+150

单位

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

直流电流传输比

集电极 - 发射极饱和电压

输出电容

跃迁频率

符号

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

=1mA

=30V

=4V

=3V/0.01A

= 5V ，我

= -20mA ， F = 100MHz的

= 10V ，我

= 0A ， F = 1MHz的

120

Testconditons

民

0.5

390

0.4

250

6.5

兆赫

典型值

最大

单位

ìA

CE （ SAT ）

=100ìA

=150mA/15mA

分类

记号

秩

120 270

180 390

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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