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2SD1979 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SD1979
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内容描述: 低导通电阻Ron 。高正向电流传输比hFE参数。 [Low on resistance ron. High forward current transfer ratio hFE.]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 147 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SD1979
特点
低导通电阻Ron 。
高正向电流传输比hFE参数。
1辐射源
2基地
3收藏家
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
50
20
25
300
500
150
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 发射极电压
基射极电压
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
首席执行官
V
BE
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
Testconditons
I
C
= 1毫安,我
B
= 0
V
CE
= 2 V,I
C
= 4毫安
V
CB
= 50 V,I
E
= 0
V
EB
= 25 V,I
C
= 0
V
CE
= 2 V,I
C
= 4毫安
500
20
0.6
1
1
2500
0.1
80
4.5
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
ìA
ìA
V
CE ( SAT )
I
C
= 30 mA时,我
B
= 3毫安
f
T
COB
V
CB
= 6 V,I
E
= -4毫安, F = 200 MHz的
V
CB
= 10 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
抗性
R
on
1
Ù
h
FE
分类
记号
h
FE
S
500 1500
3W
T
800 2500
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 1