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    2SD1999 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1999图片预览
    型号： 2SD1999
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低饱和电压。包含集电极和发射极之间的二极管。 [Low saturation voltage. Contains diode between collector and emitter.]
    分类和应用： 晶体二极管晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 150 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    SMD型
    晶体管
    IC
    产品speci fi cation
    2SD1999
    特点
    低饱和电压。
    包含集电极和发射极之间的二极管。
    包含基极和发射极之间的偏压电阻。
    大电流的能力。
    小尺寸封装使其易于提供高密度，
    小尺寸的混合集成电路。
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲）
    集电极耗散
    Jumction温度
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    T
    j
    T
    英镑
    等级
    25
    20
    6
    4
    6
    1.5
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    电气特性TA = 25
    参数
    收藏家Cuto FF电流
    直流电流增益
    增益带宽积
    输出电容
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    二极管的正向电压
    基极 - 发射极电阻
    符号
    Ic
    BO
    h
    FE
    f
    T
    C
    ob
    Testconditons
    V
    CB
    = 20V ，我
    E
    = 0
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    = 0.5A
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    = 3A
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    = 0.5A
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    70
    50
    200
    45
    0.25
    0.5
    1.5
    25
    25
    20
    1.5
    1.5
    V
    kÙ
    兆赫
    pF
    V
    V
    V
    V
    民
    典型值
    最大
    1.0
    单位
    ìA
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = 3A ，我
    B
    = 150毫安
    V
    BE （ SAT ）
    I
    C
    = 3V ，我
    B
    = 150毫安
    V
    （ BR ） CBO
    I
    C
    = 10ìA ，我
    E
    = 0
    V
    （ BR ） CEO
    V
    F
    R
    BE
    I
    C
    = 10ìA ，R
    BE
    =
    I
    C
    = 10毫安，R
    BE
    =
    I
    F
    = 0.5A
    记号
    记号
    DN
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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