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    2SD2118 参数 Datasheet PDF下载

    2SD2118图片预览
    型号： 2SD2118
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低VCE （SAT） 。优良的直流电流增益特性。 NPN硅晶体管。 [Low VCE(sat). Excellent DC current gain characteristics. NPN silicon transistor.]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 146 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    SMD型
    晶体管
    IC
    产品speci fi cation
    2SD2118
    TO-252
    +0.15
    1.50
    -0.15
    单位：mm
    +0.1
    2.30
    -0.1
    特点
    低V
    CE （ SAT ）
    .
    优良的直流电流增益特性。
    +0.15
    6.50
    -0.15
    +0.2
    5.30
    -0.2
    0.50
    +0.8
    -0.7
    +0.1
    0.80
    -0.1
    +0.15
    0.50
    -0.15
    NPN硅晶体管。
    +0.2
    9.70
    -0.2
    0.127
    最大
    2.3
    4.60
    +0.15
    -0.15
    +0.1
    0.60
    -0.1
    +0.28
    1.50
    -0.1
    +0.25
    2.65
    -0.1
    +0.15
    5.55
    -0.15
    1 BASE
    2个集热器
    3发射器
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极电流（脉冲） *
    集电极耗散功率
    T
    C
    = 25
    结温
    储存温度
    * PW = 10毫秒。
    Tj
    T
    英镑
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    等级
    50
    20
    6
    5
    10
    10
    1
    10
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A（ DC ）
    A（脉冲） *
    A
    W
    W
    电气特性TA = 25
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    发射Cuto FF电流
    集电极 - 发射极饱和电压
    直流电流传输比
    输出电容
    跃迁频率
    符号
    BV
    CBO
    BV
    首席执行官
    BV
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    I
    C
    =50ìA
    I
    C
    =1mA
    I
    E
    =50ìA
    V
    CB
    =40V
    V
    EB
    =5V
    0.3
    120
    150
    30
    Testconditons
    民
    50
    20
    6
    0.5
    0.5
    1.0
    390
    兆赫
    pF
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    ìA
    ìA
    V
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = 4 A，I
    B
    =0.1A
    h
    FE
    f
    T
    C
    ob
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =0.5A
    V
    CE
    = 6V ，我
    E
    = -50mA ， F = 100MHz的
    V
    CB
    = 20V ，我
    E
    = 0A ， F = 1MHz的
    h
    FE
    分类
    秩
    的hFE
    Q
    120 270
    R
    180 390
    3
    .8
    0
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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