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    2SD2122S 参数 Datasheet PDF下载

    2SD2122S图片预览
    型号： 2SD2122S
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 低频功率放大器。集电极基极电压VCBO 180 V [Low frequency power amplifier. Collector to base voltage VCBO 180 V]
    分类和应用： 晶体放大器晶体管功率放大器
    文件页数/大小： 1 页 / 146 K
    品牌： TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
       
    SMD型
    晶体管
    IC
    产品speci fi cation
    2SD2122S
    TO-252
    +0.15
    1.50
    -0.15
    单位：mm
    +0.1
    2.30
    -0.1
    特点
    低频功率放大器。
    +0.2
    9.70
    -0.2
    +0.15
    6.50
    -0.15
    +0.2
    5.30
    -0.2
    0.50
    +0.8
    -0.7
    +0.1
    0.80
    -0.1
    +0.15
    0.50
    -0.15
    0.127
    最大
    2.3
    4.60
    +0.15
    -0.15
    +0.1
    0.60
    -0.1
    +0.28
    1.50
    -0.1
    +0.25
    2.65
    -0.1
    +0.15
    5.55
    -0.15
    1 BASE
    2个集热器
    3发射器
    绝对最大额定值大= 25
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极到发射极电压
    发射器基极电压
    集电极电流
    峰值集电极电流
    集电极功率耗散T
    C
    = 25
    结温
    储存温度
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    I
    CP
    P
    C
    Tj
    T
    英镑
    等级
    180
    120
    5
    1.5
    3
    18
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    A
    W
    电气特性TA = 25
    参数
    集电极基极击穿电压
    集电极到发射极击穿电压
    发射极基极击穿电压
    收藏家Cuto FF电流
    直流电流传输比*
    集电极到发射极饱和电压
    基地发射极电压
    增益带宽积
    集电极输出电容
    *脉冲测试
    符号
    Testconditons
    民
    180
    120
    5
    10
    60
    30
    1
    1.5
    180
    14
    V
    V
    兆赫
    pF
    200
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    ìA
    V
    （ BR ） CBO
    I
    C
    = 1毫安，我
    E
    = 0
    V
    （ BR ） CEO
    I
    C
    = 10毫安，R
    BE
    =
    V
    （ BR ） EBO
    I
    E
    = 1毫安，我
    C
    = 0
    I
    CBO
    h
    FE
    V
    CB
    = 160 V，I
    E
    = 0
    V
    CE
    = 5 V，I
    C
    = 150毫安
    V
    CE
    = 5 V，I
    C
    = 500毫安
    V
    CE （ SAT ）
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    V
    BE
    f
    T
    C
    ob
    V
    CE
    = 5 V，I
    C
    = 150毫安
    V
    CE
    = 5 V，I
    C
    = 150毫安
    V
    CB
    = 10 V，I
    E
    = 0中，f = 1 MHz的
    h
    FE
    分类
    记号
    的hFE
    B
    60 120
    C
    100 200
    3
    .8
    0
    http://www.twtysemi.com
    sales@twtysemi.com
    4008-318-123
    1 1

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