SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
2SD2324
SOT-23
单位：mm
特点
低饱和电压。
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
1
2
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
大电流的能力。
小尺寸封装有助于实现
高密度，小尺寸的混合集成电路。
0.55
包含基极和发射极之间的偏置电阻器。
+0.1
1.3
-0.1
包含colletor极和发射极之间的二极管。
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压，采用齐纳二极管（ 11 ± 3V ）
集电极 - 发射极电压，采用齐纳二极管（ 11 ± 3V ）
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
集电极耗散
Jumction温度
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
20
15
5
0.8
2
200
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mW
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
二极管的正向电压
基极 - 发射极电阻
V
F
R
BE
符号
Ic
BO
h
FE
f
T
C
ob
Testconditons
V
CB
= 15V ，我
E
= 0
V
CE
= 2V ，我
C
= 0.5A
V
CE
= 2V ，我
C
= 0.5A
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
70
150
15
0.16
0.85
20
20
15
1.5
1
V
kÙ
0.3
1.2
兆赫
pF
V
V
V
V
民
典型值
最大
1.0
单位
ìA
V
CE （ SAT ）
I
C
= 500毫安，我
B
= 10毫安
V
BE （ SAT ）
I
C
= 500毫安，我
B
= 10毫安
V
（ BR ） CBO
I
C
= 10ìA ，我
E
= 0
I
C
= 10ìA ，R
BE
=
V
（ BR ） CEO
I
C
= 10毫安，R
BE
=
I
F
= 0.5A
记号
记号
BN
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
10F中1
TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
