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型号: 2SD2359
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内容描述: 低集电极 - 发射极饱和电压VCE (SAT) 。小功率型封装,设备的小型化使 [Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat). Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment]
分类和应用:
文件页数/大小: 1 页 / 82 K
品牌: TYSEMI [ TY Semiconductor Co., Ltd ]
   
SMD型
晶体管
产品speci fi cation
2SD2359
特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE (SAT) 。
小功率型封装,设备的小型化使
并通过磁带包装盒自动插入
包装。
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
等级
20
20
5
1.2
1
1
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
正向电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
I
CBO
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
h
FE
Testconditons
V
CB
= 14 V,I
E
= 0
I
C
= 10 μA ,我
E
= 0
I
C
= 1毫安,我
B
= 0
I
E
= 10 μA ,我
C
= 0
V
CE
= 2 V,I
C
= 100毫安
20
20
5
200
0.11
100
23
800
0.2
V
兆赫
pF
典型值
最大
1
单位
ìA
V
V
V
V
CE ( SAT )
I
C
= 500毫安,我
B
= 10毫安
f
T
COB
V
CB
= 6 V,I
E
= -50毫安, F = 200 MHz的
V
CB
= 6 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
记号
记号
1O
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sales@twtysemi.com
4008-318-123
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