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    UM61512ASW-20 参数 Datasheet PDF下载

    UM61512ASW-20图片预览
    型号： UM61512ASW-20
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64K ×8位高速CMOS SRAM [64K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM]
    分类和应用： 内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 16 页 / 165 K
    品牌： UMC [ UMC CORPORATION ]
     浏览型号UM61512ASW-20的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UM61512ASW-20的Datasheet PDF文件第4页浏览型号UM61512ASW-20的Datasheet PDF文件第5页浏览型号UM61512ASW-20的Datasheet PDF文件第6页浏览型号UM61512ASW-20的Datasheet PDF文件第8页浏览型号UM61512ASW-20的Datasheet PDF文件第9页浏览型号UM61512ASW-20的Datasheet PDF文件第10页浏览型号UM61512ASW-20的Datasheet PDF文件第11页  
    UM61512A  
    Timing Waveforms (continued)  
    (1)  
    Read Cycle 4  
    tRC  
    Address  
    tAA  
    OE  
    tOE  
    tOH  
    5
    tOLZ  
    CE1  
    tACE1  
    5
    tCHZ1  
    5
    tCLZ2  
    CE2  
    5
    tACE2  
    tOHZ  
    5
    5
    tCLZ2  
    tCHZ2  
    DOUT  
    Notes: 1. WE is high for Read Cycle.  
    2. Device is continuously enabled CE1 = VIL and CE2 = VIH.  
    3. Address valid prior to or coincident with CE1 transition low.  
    4. OE = VIL.  
    5. Transition is measured ±500mV from steady state. This parameter is sampled and not 100% tested.  
    6. CE2 is high.  
    7. CE1 is low.  
    8. Address valid prior to or coincident with CE2 transition high.  
    7

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