CHA2066RBF
10-16GHz自偏置低噪声放大器
GaAs单片微波集成电路的SMD无铅封装
描述
单片微波集成电路( MMIC)中的
包是一个两阶段的自偏置宽
波段单片低噪声放大器。
该MMIC是一个标准的制造
PM- HEMT工艺: 0.25微米栅长,
通过穿过基板,空气桥孔
和电子束光刻门。
它是在一个新的SMD无引线芯片供给
载体。
主要特点
■
宽带绩效: 10-16GHz
■
增益= 15分贝(典型值)
■
噪声系数2.0分贝(典型值)
■
输出功率(P
-1dB
) 13dBm的(典型值)
■
回波损耗< -6dB
■
SMD无铅封装
■
尺寸: 5.08 X 5.08 X 0.97毫米
3
SMD封装尺寸
"Please注意, PIN 1位于包(正面视图)的左下角从美国半导体单片全贴片式封装。它被表示
通过在包盖的三角形。与PIN 1其他片开始逆时针(前视图)的编号。注意:对在背面的点
包
(即
SIDE
同
金属的
垫)
is
刚
为
制造
施行
和
是否
不
表明
该
位置
of
针
1."
参考文献。 : DSCHA2066RBF2317 -13 -十一月-02
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