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型号: CHA2066RBF
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内容描述: 10-16GHz自偏置低噪声放大器 [10-16GHz Self biased Low Noise Amplifier]
分类和应用: 放大器
文件页数/大小: 8 页 / 184 K
品牌: UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
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CHA2066RBF
10-16GHz自偏置低噪声放大器
GaAs单片微波集成电路的SMD无铅封装
描述
单片微波集成电路( MMIC)中的
包是一个两阶段的自偏置宽
波段单片低噪声放大器。
该MMIC是一个标准的制造
PM- HEMT工艺: 0.25微米栅长,
通过穿过基板,空气桥孔
和电子束光刻门。
它是在一个新的SMD无引线芯片供给
载体。
主要特点
宽带绩效: 10-16GHz
增益= 15分贝(典型值)
噪声系数2.0分贝(典型值)
输出功率(P
-1dB
) 13dBm的(典型值)
回波损耗< -6dB
SMD无铅封装
尺寸: 5.08 X 5.08 X 0.97毫米
3
SMD封装尺寸
"Please注意, PIN 1位于包(正面视图)的左下角从美国半导体单片全贴片式封装。它被表示
通过在包盖的三角形。与PIN 1其他片开始逆时针(前视图)的编号。注意:对在背面的点
(即
SIDE
金属的
垫)
is
制造
施行
是否
表明
位置
of
1."
参考文献。 : DSCHA2066RBF2317 -13 -十一月-02
1/8
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联合单片半导体S.A.S.
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