CHA2069-QDG
符合RoHS
18-30GHz低噪声放大器
GaAs单片微波集成电路的SMD无铅封装
描述
该CHA2069 - QDG是一个三阶段的自我
偏颇的宽带单片低噪声
放大器。典型应用范围从
电信（点对点，点到多
点， VSAT ），以ISM和军用市场。
该电路与一个标准的制
pHEMT工艺： 0.25微米栅长，过孔
穿过衬底，空气桥和电子
束光刻门。
它是无铅SMD封装。
增益和噪声系数@高电流配置。 （ BCF接地）
主要特点
■
宽带性能18-30GHz
■
3分贝噪声系数
■
20分贝增益
■
65毫安低DC功耗。
■
20dBm的3
rd
为了截取点（大电流
CON组fi guration ） 。
■
24L - QFN4x4 SMD封装
增益& NF（ dB）的
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
10
12
收益
NF
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
主要特点
TAMB = + 25 ° VD = + 4,5V垫： VGB ， VGC ， VGF = GND （H IGH当前配置）
C,
符号
NF
G
IP3
参数
噪声系数， 18-26GHz
收益
三阶截取点（噘/音= -5dBm ）
18-26 GHz的
18
20
DBM
17
民
典型值
3
20
最大
4
单位
dB
dB
ESD保护：静电放电敏感器件观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA2069QDG6332 - 06年11月28日
1/18
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
联合单片半导体S.A.S.
路线Départementale 128 - BP46 - 91401奥赛Cedex法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
