CHA2093
符合RoHS
20-30GHz低噪声放大器
GaAs单片微波IC
描述
该CHA2093是一个两阶段的宽频带
单片低噪声放大器。
该电路与一个标准的制
HEMT工艺： 0.25微米栅长，通过
穿过衬底，空气桥的孔和
电子束光刻门。
它是在芯片的形式提供。
IN
Vd
50
25
OUT
VG 1
VG 2
20
增益（ dB）的
10
噪声系数（dB ）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
10
15
20
25
30
35
40
频率（ GHz）的
主要特点
¦
宽带性能20-30GHz
¦
2.2分贝噪声系数， 20-30GHz
¦
15dB增益的雪，
±
0.5分贝增益平坦度
¦
低DC功耗为50mA
¦
20dBm的三阶截取点
¦
芯片尺寸： 1.67× 1.03× 0.1毫米
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
在晶圆典型的测量。
主要特点
TAMB = + 25°C
符号
NF
G
∆G
参数
噪声系数， 20-30GHz
收益
增益平坦度
13
民
典型值
2.2
15
±
0.5
±
1.0
最大
3.0
单位
dB
dB
dB
ESD保护：静电放电敏感器件观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA20933279 - 03年10月6日
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