10-18GHz LNA VGA
电气特性的宽带运营
TAMB = + 25 ° V5 = Vd2,3,4 = 5V
C,
符号
FOP
G
∆G
Is
NF
GCTRL
P1dB
VSWRin
CHA2291
参数
工作频率范围
小信号增益（ 1 ）
小信号增益平坦度（ 1 ）
反向隔离（ 1 ）
用VC = 1.2V的噪声系数（ 1 ）
增益控制范围对VC
输出功率在1dB压缩与VC = 1.2V
输入电压驻波比（1）
民
10
20
典型值
最大
18
单位
GHz的
dB
dB
dB
23
±1
60
2.2
3
dB
dB
DBM
20
25
10
3.0:1
2.5:1
VSWRout输出VSWR （ 1 ）
Vd
直流电压
V5 = Vd2,3,4
Vc
5
[-0.7, +1.2]
25
180
-1.5
+1.3
V
V
mA
mA
Id1
Id
偏置电流（ 2 ）用VC = 1.2V
偏置电流共（ 3 ）用VC = 1.2V
（1）这些值代表了在片制成，没有粘合的测量
电线在RF端口。
（2）为了获得最佳的噪声系数，偏置电流Id1应调整到25毫安与VG1的电压。
（3）同为Id1 = 25毫安，调整Vg2,3,4电压为围绕180毫安总漏电流。
绝对最大额定值
TAMB 。 = 25° （1）
C
符号
Vd
Id
Vg
Vc
VDG
针
总胆固醇
Ta
TSTG
参数
最大漏极偏置电压
最大漏极偏置电流
栅极偏置电压
最大控制偏置电压
最大漏极至栅极电压（VD - VG）
最大输入功率过载（ 2 ）
最大通道温度
工作温度范围
存储温度范围
值
+5.2
250
-2.5到+0.4
+1.5
+5.0
+15
+175
-40至+85
-55到+125
单位
V
mA
V
V
V
DBM
°
C
°
C
°
C
（ 1 ）本设备上面这些参数中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
（2 ）持续< 1秒。
参考文献。 ： DSCHA22917165 - 07年6月14日
2/8
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
路线Départementale 128 ， BP46 - 91401 Cedex的ORSAY - 法国
电话： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 08 - 传真： +33 （ 0 ） 1 69 33 03 09
UMS [ UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS ]
