CHA2391
电气特性
TAMB = + 25 ° C，
偏置条件： VD = + 4V
符号
FOP
G
∆G
NF
VSWRin
VSWRout
IP3
P1dB
Vd
36-40GHz非常低噪声放大器
参数
工作频率范围
增益（1）
增益平坦度（ 1 ）
噪声图（1）
输入电压驻波比（1）
输出中VSWR （ 1 ）
3阶截取点
在1分贝增益压缩输出功率
直流电压
Vd
Vg
民
36
12
典型值
最大
40
单位
GHz的
dB
15
±
0.5
2.5
±
1.0
3
3.0:1
3.0:1
20
12
4
-0.25
45
4.5
+0.4
dB
dB
DBM
DBM
V
-2
Id
漏极偏置电流（ 2）
mA
(1
） ，这些值代表了在片制成，没有接合线测量
在RF ports.When芯片上安装有典型0.15nH的输入和输出接合线，所述
指示参数应改进
.
（2） 45毫安是用于在晶片测量的典型的偏置电流，以VG1 = VG2 。
为了达到最佳的噪声系数，偏置电流可以降低到30毫安，调整
Vg1,2电压。
绝对最大额定值
(1)
TAMB = + 25°C
符号
Vd
Vg
VDG
针
针
顶部
TSG
参数
漏偏置电压
栅极偏置电压
最大漏极至栅极电压（ VD- VG）
最大峰值输入功率过载（ 2 ）
最大连续输入功率
工作温度范围
存储温度范围
值
5.0
-2.0到+0.4
+5.0
+15
+1
-40至+85
-55到+125
单位
V
V
V
DBM
DBM
°C
°C
（ 1 ）本设备上面这些paramaters中的任何一个操作可能会造成永久性的损害。
（2 ）持续< 1秒。
参考文献。 ： DSCHA23912240 -28 -八月-02
2/8
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