CHA2693-QAG
符合RoHS
18-30GHz低噪声放大器
GaAs单片微波集成电路的SMD无铅封装
描述
该CHA2693 - QAG是一个两阶段的宽频带
单片低噪声放大器。
该电路与一个标准制造的P
HEMT的过程： 0.25μm的栅极长度，导通孔
穿过衬底，空气桥和电子
束光刻门。
它是在符合欧盟ROHS标准SMD封装。
主要特点
■
宽带性能18-30GHz
■
3.0分贝噪声系数， 18-26GHz
■
13分贝增益，
±
2.0分贝增益平坦度
■
低直流功率消耗。
■
20dBm的3
rd
阶截取点
■
16L - QFN3x3 SMD封装
20
18
16
增益& NF（ dB）的
14
12
10
8
6
4
2
0
12
14
16
18
CHA2693-QAG
（VD = 4V ; n = 45毫安）
NF
dBS21
20
22
24
26
频率（ GHz）的
28
30
32
34
主要特点
TAMB = + 25 ° VD = + 4.0V ，ID = 45毫安
C,
符号
NF
G
IP3
参数
噪声系数， 18-26GHz
收益
3阶截取点
10
18
民
典型值
3.0
13
20
最大
单位
dB
dB
DBM
ESD保护：静电放电敏感器件观察处理注意事项！
参考文献。 ： DSCHA2693QAG6332 - 06年11月28日
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