CHA3667aQDG
符合RoHS
7-20GHz中功率放大器
GaAs单片微波集成电路的封装SMD
描述
该CHA3667aQDG是宽带
单片中功率放大器。
它被设计用于大范围的
应用，从军事到商业
通信系统。
该电路与一个电源 - 制
HEMT的过程中， 0.15μm的栅极长度，通过孔
通过衬底。
这是ESD保护的RF端口感谢DC
具体的滤波电路。
它是无铅SMD封装。
的S参数与频率的关系
获得&输入/输出回波损耗
（ dB）的
UMS
A3667A
YYWWG
Vd
RFIN
RFOUT
主要特点
■
宽带性能7-20GHz
■
自偏置
■
23分贝增益@ 2.7分贝噪声系数
■
20dBm的输出功率@ 1dB压缩
■
DC功耗175毫安4.2V
■
24L - QFN4x4 SMD封装
■
ESD保护
25
20
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
S11
S22
S21
频率（千兆赫）
主要特点
TAMB 。 = 25° Vd的= 4.2V
C,
符号
FOP
G
NF
P-1dB
Id
参数
输入频率范围
小信号增益
噪声系数
在1分贝增益压缩输出功率
偏置电流
民
7
23
2.7
20
175
典型值
最大
20
单位
GHz的
dB
dB
DBM
mA
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项
参考文献： DSCHA3667aQDG7296 - 07年10月23日
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