CHA5052-QGG
符合RoHS
7-16GHz高功率放大器
GaAs单片微波集成电路的封装SMD
描述
该CHA5052 - QGG是一个三阶段
单片高功率放大器。
该电路与一个电源。制造
P-
HEMT的过程中， 0.15μm的栅极长度，导通孔
通过衬底。
据supppplied在符合RoHS标准的SMD
封装。
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
6
7
8
9
主要特点
■
频率范围7-16GHz
■
增益： 19分贝
■
37dBm 3
rd
阶截取点
■
为29dBm输出功率@ 1dB压缩
■
ESD保护（见第7页）
■
直流功耗， 700毫安@ 5V
■
28LQFN5x5
P1dB的（ DBM）
线性增益（dB ）
10
11
12
频率（GHz ）
13
14
15
16
典型的板尺寸
主要特点
TAMB 。 = 25° Vd的= 5V
C,
符号
FOP
参数
工作频率范围
小信号增益
在1分贝增益压缩输出功率
输出IP3
民
7
典型值
最大
16
单位
GHz的
dB
DBM
DBM
G_lin
P1dB
OIP3
19
29
37
ESD保护：静电放电敏感器件。观察处理注意事项！
参考文献： DSCHA5052QGG7033 - 07年2月2日
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/规格如有变更，恕不另行通知
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